Релейная защита и автоматика
Пассивные компоненты
Полупроводниковые приборы
Соединители
Электромеханика
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль IXFN73N30Q IXYS

Дискретный модуль IXFN73N30Q IXYS
Дискретный модуль IXFN73N30Q IXYS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Производитель: IXYS
Описание: Дискретный модуль IXFN73N30Q IXYS
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Fall Time 12 ns
Id - Continuous Drain Current 73 A
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Chassis Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 500 W
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 45 mOhms
Rise Time 36 ns
RoHS Details
Series HiPerFET
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 82 ns
Typical Turn-On Delay Time 37 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 300 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Описание

Дискретный модуль IXFN73N30Q IXYS

В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN73N30Q IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN73N30Q , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.