История:
VS-VSKL56/10
Дискретный модуль IXFN82N60P IXYS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
24 ns
Id - Continuous Drain Current
72 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
1.04 kW
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
75 mOhms
Rise Time
23 ns
RoHS
Details
Series
IXFN82N60
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Polar HiPerFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
79 ns
Typical Turn-On Delay Time
28 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5 V
Описание
Дискретный модуль IXFN82N60P IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN82N60P IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN82N60P , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.