Дискретный модуль IXFN94N50P2 IXYS
Скачать datasheet
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
11 ns
Id - Continuous Drain Current
68 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
SOT-227B-4
Pd - Power Dissipation
780 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
55 mOhms
Rise Time
34 ns
RoHS
Details
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
67 ns
Typical Turn-On Delay Time
15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V
Описание
Дискретный модуль IXFN94N50P2 IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN94N50P2 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN94N50P2 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.