Дискретный модуль IXTN17N120L IXYS
Скачать datasheet
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
83 ns
Id - Continuous Drain Current
15 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
540 W
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
900 mOhms
Rise Time
31 ns
RoHS
Details
Series
IXTN17N120
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Linear Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
110 ns
Typical Turn-On Delay Time
42 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1.2 kV
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
6 V
Описание
Дискретный модуль IXTN17N120L IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXTN17N120L IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXTN17N120L , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.