История:
1N5655A/TR
Дискретный модуль IXTN60N50L2 IXYS
Скачать datasheet
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
38 ns
Id - Continuous Drain Current
53 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
735 W
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
100 mOhms
Rise Time
40 ns
RoHS
Details
Series
IXTN60N50
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Linear Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
165 ns
Typical Turn-On Delay Time
40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V
Описание
Дискретный модуль IXTN60N50L2 IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXTN60N50L2 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXTN60N50L2 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.