Дискретный модуль IXTP76N25TM IXYS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
29 ns
Id - Continuous Drain Current
76 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-220AB-3
Pd - Power Dissipation
460 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
44 mOhms
Rise Time
25 ns
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Trench
Typical Turn-Off Delay Time
56 ns
Typical Turn-On Delay Time
22 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
250 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V
Описание
Дискретный модуль IXTP76N25TM IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXTP76N25TM IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXTP76N25TM , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.