Дискретный модуль MMIX1T660N04T4 IXYS
Скачать datasheet
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Производитель:
IXYS
Описание:
Дискретный модуль MMIX1T660N04T4 IXYS
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
260 ns
Id - Continuous Drain Current
660 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Pd - Power Dissipation
830 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
850 uOhms
Rise Time
430 ns
RoHS
Details
Series
HiPerFET
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Trench T4
Typical Turn-Off Delay Time
386 ns
Typical Turn-On Delay Time
40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
40 V
Vgs - Gate-Source Voltage
15 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Описание
Дискретный модуль MMIX1T660N04T4 IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MMIX1T660N04T4 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MMIX1T660N04T4 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.