История:
TH253G34GASN
F3L300R12MT4_B22
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L300R12MT4_B22: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

