История:
FD150R12RT4
TPDV840RG
K2000GAP
F4-100R06KL4
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Configuration
Quad
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
130 A
Power Dissipation
430 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-100R06KL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль F4-100R06KL4 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by