История:
K2000GURP
FS75R12KE3_B9
FAM65HR51DS2
F4-150R12KS4
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Quad
Continuous Collector Current
180 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-150R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль F4-150R12KS4 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by