История:
L6008L8TP
K2000GURP
FS75R12KE3_B9
FAM65HR51DS2
F4-75R06W1E3
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Quad
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-75R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль F4-75R06W1E3 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by