История:
MJ15022G
FAM65HR51DS2
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Quad
Power Dissipation
135 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FAM65HR51DS2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

