FCX558QTA Diodes Incorporated
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-89-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 400 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 400 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.5 V
Gain Bandwidth Product fT
50 MHz
Pd - Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
- 200 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min
100
DC Current Gain hFE Max
300
Factory Pack Quantity
1000
Maximum DC Collector Current
- 200 mA
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Qualification
AEC-Q101
RoHS
Details
Series
FCX558Q
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
50 mg
Описание
Биполярный транзистор FCX558QTA Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент FCX558QTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом FCX558QTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.