История:
FD150R12RT4
TPDV840RG
K2000GAP
FD300R06KE3
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
400 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD300R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FD300R06KE3 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by