История:
FCX1151ATA
EP3C16E144C8
FD300R17KE4PHOSA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
300 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD300R17KE4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet