История:
AC0201FR-074K7L
APTGLQ600A65T6G
K1100G
DF120R12W2H3_B27
FGAF40N60UFTU
AC0201FR-07121RL
ACT108-600E,412
DGP25-01P-41
AC0201FR-07402RL
AC0201FR-0775RL
A2P75S12M3-F
T835-600H
PUMD30,115
AC0201FR-073KL
2305B-1DCGI
FF600R12ME4CB11BOSA1
TT60N16SOF
ADTC114EUAQ-7
FS600R07A2E3B32BOSA1
BCR5FM-14LB
BCR12CM-12LB
BCR25CM-12LB
LSP05G480SN
IXBOD1-36R
QJ8012LH5TP
QJ8016LH5TP
195598
APTDF200H60G
FD300R17KE4PHOSA1
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
300 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD300R17KE4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FD300R17KE4PHOSA1 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

