FD600R17KE3_B2
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Single Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current
950 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD600R17KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet