Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT FF1000R17IE4

FF1000R17IE4

FF1000R17IE4
FF1000R17IE4
Артикул:
Описание: FF1000R17IE4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 1390 A
Power Dissipation 6.25 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1000R17IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 1390 A
Power Dissipation 6.25 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1000R17IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet