FF100R12RT4
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Power Dissipation
555 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF100R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet