История:
FD150R12RT4
TPDV840RG
K2000GAP
FF1200R17KE3
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
1600 A
Power Dissipation
5.95 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1200R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FF1200R17KE3 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by