История:
FD150R12RT4
TPDV840RG
K2000GAP
FF150R12KT3G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.15 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
225 A
Power Dissipation
780 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12KT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FF150R12KT3G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by