История:
TPDV640RG
FS75R17KE3
DF600R12IP4D
FF200R17KE3
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
390 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FF200R17KE3 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

