История:
APTGLQ50H65T3G
FZ1200R12HE4
PUMH9,115
IXG70IF1200NA
K2500E70AP
FZ3600R17HE4
FF200R12KS4
UMH9NFHATN
IXGH30N60C3C1
MLP0805-601
FZ400R12KP4
FD400R12KE3
K2200SRP
T10B220J
FF1800R17IP5
STGW20V60F
MLP0805-600
FS200R12KT4R_B11
K2000E70RP2
APTGL90DA120T1G
STGD8NC60KDT4
8PK-376FN
STGIPS10K60A
ACS108-6SA
FF200R12KT4
P6002ABL
FF300R12KS4PHOSA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.2 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
300 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KS4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FF300R12KS4PHOSA1 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by