FF300R17KE4
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.45 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
440 A
Power Dissipation
1800 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R17KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet