Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT FF400R12KE3

FF400R12KE3

FF400R12KE3
FF400R12KE3
Артикул:
Описание: FF400R12KE3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 580 A
Power Dissipation 2 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 580 A
Power Dissipation 2 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet