История:
40452
FS10R06VE3
94599
FF400R12KT3P_E
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
400 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R12KT3P_E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FF400R12KT3P_E в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by