История:
FS75R17KE3
DF600R12IP4D
FF450R12KT4
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
580 A
Power Dissipation
2400 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FF450R12KT4 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by