История:
EP2C5F256C7
FF450R33T3E3BPSA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
3300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
450 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R33T3E3BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet