История:
FS25R12KT3
Z0109MAML
096097
FS20R06VE3
2N4237
40452
FS10R06VE3
94599
FF900R12IE4
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.05 V
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
900 A
Power Dissipation
5.1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF900R12IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FF900R12IE4 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

