FF900R12IP4D
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Continuous Collector Current
900 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF900R12IP4D: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet