История:
2N4235
K2201G
FD600R06ME3_S2
FD400R33KF2C
APT47F60J
196507
FGA30N120FTDTU
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
FGA30N120FTDTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
25 V
Continuous Collector Current at 25 C
30 A
Power Dispation
339 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA30N120FTDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор FGA30N120FTDTU в каталоге Components.by