Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
FGA30N60LSDTU
FGA30N60LSDTU
FGA30N60LSDTU
Артикул:
Описание:
FGA30N60LSDTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA30N60LSDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA30N60LSDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором