История:
ADCMP553BRMZ
BK/PCC-1-1/2-R
SA82CB0
FGA30T65SHD
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
FGA30T65SHD
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.14 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
60 A
Power Dispation
238 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA30T65SHD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор FGA30T65SHD в каталоге Components.by