История:
FP75R07N2E4
DF900R12IP4DV
FS100R17PE4
FGA40T65UQDF
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
FGA40T65UQDF
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.33 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
231 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA40T65UQDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор FGA40T65UQDF в каталоге Components.by