История:
MF-RX160-99
TP1.5-DP
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
FGA6540WDF
FGA6540WDF
FGA6540WDF
Артикул:
Описание:
FGA6540WDF
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
238 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA6540WDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
238 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGA6540WDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором

