FGB20N60SFD-F085
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
FGB20N60SFD-F085
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
40 A
Power Dispation
208 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGB20N60SFD-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором