Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FGB5N60UNDF

FGB5N60UNDF

FGB5N60UNDF
FGB5N60UNDF
Артикул:
Описание: FGB5N60UNDF
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 10 A
Power Dispation 73.5 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGB5N60UNDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 10 A
Power Dispation 73.5 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGB5N60UNDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором