История:
FT906Q-C-R
BK1/GMC-600-R
FGD3N60LSDTM
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
FGD3N60LSDTM
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGD3N60LSDTM: Биполярный транзистор с изолированным затвором

