FGD3N60LSDTM
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
FGD3N60LSDTM
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGD3N60LSDTM: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор FGD3N60LSDTM в каталоге Components.by