FGD3N60UNDF
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
FGD3N60UNDF
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
6 A
Power Dispation
60 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGD3N60UNDF: Биполярный транзистор с изолированным затвором