История:
VC120645K900DP
STGWA60H65DFB
VC080531C650DP
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
FGH20N60SFDTU
FGH20N60SFDTU
FGH20N60SFDTU
Артикул:
Описание:
FGH20N60SFDTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH20N60SFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH20N60SFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором

