FGH25T120SMD-F155
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
FGH25T120SMD-F155
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage
25 V
Continuous Collector Current at 25 C
50 A
Power Dispation
428 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH25T120SMD-F155: Биполярный транзистор с изолированным затвором