История:
FGB40N60SM
FGB40T65SPD-F085
HA1631S04CMEL-E
FGH40N60SFDTU-F085
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
FGH40N60SFDTU-F085
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
290 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N60SFDTU-F085: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор FGH40N60SFDTU-F085 в каталоге Components.by