История:
0262002.V
MPC555LFMZP40
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
FGH40N60SMD
FGH40N60SMD
FGH40N60SMD
Артикул:
Описание:
FGH40N60SMD
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
349 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N60SMD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
349 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH40N60SMD: Биполярный транзистор с изолированным затвором

