Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FGH50N3

FGH50N3

FGH50N3
FGH50N3
Артикул:
Описание: FGH50N3
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 75 A
Power Dispation 463 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH50N3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 75 A
Power Dispation 463 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH50N3: Биполярный транзистор с изолированным затвором