FGH60N60SFDTU
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
FGH60N60SFDTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH60N60SFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор FGH60N60SFDTU в каталоге Components.by