FGH80N60FD2TU
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
FGH80N60FD2TU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGH80N60FD2TU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор FGH80N60FD2TU в каталоге Components.by