История:
STGP15M65DF2
FGP20N60UFDTU
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
FGP20N60UFDTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGP20N60UFDTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор FGP20N60UFDTU в каталоге Components.by