История:
245422
FGY75T120SQDN
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
FGY75T120SQDN
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
150 A
Power Dispation
790 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGY75T120SQDN: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор FGY75T120SQDN в каталоге Components.by