История:
QK012LH5
STGB7H60DF
STGB5H60DF
STGD25N40LZAG
APTGLQ80HR120CT3G
STGD20N45LZAG
STGWA15S120DF3
TD60N16SOF
STGF19NC60HD
HMC-C053
IXBOD1-14R
FS100R12KT4G_B11
FGH75T65UPD
STGB20M65DF2
FS150R17N3E4
QAT-7
QAT-3
STGD14NC60KT4
STGB30M65DF2
STGB6M65DF2
AC0603FR-07124KL
FGL40N120ANDTU
LSP05G120P
APT50MC120JCU2
FGY75T95SQDT
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
FGY75T95SQDT
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
950 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.69 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
75 A
Power Dispation
434 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-FGY75T95SQDT: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор FGY75T95SQDT в каталоге Components.by