История:
FF450R12IE4
EP13-3C96
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
FP100R12KT4_B11
FP100R12KT4_B11
FP100R12KT4_B11
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Array 7
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP100R12KT4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Array 7
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP100R12KT4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

