Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

История: FMMT625TA FMMTA92TA FMMT589TA STM32F427IGH7 FMMT6520TA

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT

FP10R06W1E3

Name: FP10R06W1E3
Availability: OutOfStock

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

FP10R06W1E3

Описание: FP10R06W1E3

Datasheet:

Характеристики

Manufacturer Infineon

Product IGBT Silicon Modules

Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V

Configuration Array 7

Gate-Emitter Leakage Current 400 nA

Continuous Collector Current 16 A

Power Dissipation 68 W

Описание

Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором

Запросить цену